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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | LEAD FREE, 2-10P1B, SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 324 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1339-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1339 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2733(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SK2733(F) |
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| 2SK2733(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2733_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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| 2SK2733_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive |
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| 2SK2734 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2734 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251VAR |
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| 2SK2735(L)|2SJ2735(S) | ETC |
获取价格 |
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