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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 7.99 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3019TL | ROHM |
类似代替  |
2.5V Drive Nch MOS FET |
|
| 2SK3018T106 | ROHM |
类似代替 |
2.5V Drive Nch MOS FET |
|
| 2N7002-TP | MCC |
功能相似 |
N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2733 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 2SK2733(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SK2733(F) |
|
| 2SK2733(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK2733_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
|
| 2SK2733_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive |
|
| 2SK2734 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2734 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2735 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2735 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2735(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251VAR |
|
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