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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> 2SK2595AXTB-E
2SK2595AXTB-E PDF预览

2SK2595AXTB-E

更新时间： 2024-11-14 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
14页 115K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, RP8P, 2 PIN

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2SK2595AXTB-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.12
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：17 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A
最大漏极电流 (ID)：1.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2595AXTB-E 数据手册

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2SK2595  
Silicon N-Channel MOS FET  
UHF Power Amplifier  
REJ03G0206-0400  
Rev.4.00  
Feb.14.2005  
Features  
•
High power output, High gain, High efficiency  
PG = 7.8 dB, Pout = 5.37 W, ηD = 50% min. (f = 836.5 MHz)  
Compact package capable of surface mounting  
•
Outline  
PLSS0003ZA-A  
(Previous code : RP8P)  
D
1
G
3
2
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
S
Note: Marking is "AX".  
This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
17  
V
V
±10  
1.1  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
PchNote2  
Tch  
5
20  
A
Channel dissipation  
W
°C  
°C  
Channel temperature  
Storage temperature  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tc = 25°C  
150  
Tstg  
– 45 to +150  
Rev.4.00, Feb.14.2005, page 1 of 13  
1234567...14

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