生命周期: | Obsolete | 包装说明: | RP8P-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.15 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 17 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.1 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK2595AXTB-E | RENESAS |
功能相似 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, RP8P, 2 PIN | |
2SK2595 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2595AXTB | RENESAS |
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暂无描述 | |
2SK2595AXTB-E | RENESAS |
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UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, RP8P, 2 PIN | |
2SK2595AXUB | RENESAS |
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RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxi | |
2SK2596 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier | |
2SK2596_07 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier | |
2SK2596BX | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier | |
2SK2596BXTL | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 | |
2SK2596BXTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier | |
2SK2596BXTR | RENESAS |
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暂无描述 | |
2SK2596BXUL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |