2SK2596BX

更新时间： 2024-11-14 04:00:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器
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Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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2SK2596BX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SC-62, UPAK-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	17 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A
最大漏极电流 (ID)：	0.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2596BX 数据手册

2SK2596

Silicon N-Channel MOS FET

UHF Power Amplifier

REJ03G0207-0300

(Previous ADE-208-1367(Z))

Rev.3.00

Feb.14.2005

Features

•

High power output, High gain, High efficiency

PG = 12.2 dB, Pout = 30.2 dBm, ηD = 45%min. (f = 836.5 MHz)

Compact package capable of surface mounting

•

Outline

PLZZ0004CA-A

(Previous code : UPAK)

1. Gate

2. Source

3. Drain

4. Source

Note: Marking is “BX“.

This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

±10

0.4

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Pch ^Note2

Tch

Channel dissipation

°C

Channel temperature

Storage temperature

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

150

Tstg

–45 to +150

Rev.3.00, Feb.14.2005, page 1 of 4

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2SK2596BX 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK2596BXTL-E	RENESAS	功能相似	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier
2SK2596	RENESAS	功能相似	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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2SK2596BXTL	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK2596BXTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier
2SK2596BXTR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK2596BXUL	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
2SK2596BXUR	RENESAS	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
2SK2597	NEC	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLI
2SK2598	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER
2SK2598(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,13A I(D),TO-263ABVAR
2SK2598(TO-220SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN,
2SK2598_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic

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