2SK2595AXUB

更新时间： 2024-10-01 13:04:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器
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14页	115K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK2595AXUB 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	最小漏源击穿电压：	17 V
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2595AXUB 数据手册

2SK2595

Silicon N-Channel MOS FET

UHF Power Amplifier

REJ03G0206-0400

Rev.4.00

Feb.14.2005

Features

•

High power output, High gain, High efficiency

PG = 7.8 dB, Pout = 5.37 W, ηD = 50% min. (f = 836.5 MHz)

Compact package capable of surface mounting

•

Outline

PLSS0003ZA-A

(Previous code : RP8P)

1. Gate

2. Source

3. Drain

Note: Marking is "AX".

This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

±10

1.1

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Pch^Note2

Tch

Channel dissipation

°C

Channel temperature

Storage temperature

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

150

Tstg

– 45 to +150

Rev.4.00, Feb.14.2005, page 1 of 13

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