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2SK2593G

更新时间： 2024-10-01 21:16:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	206K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN

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2SK2593G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2593G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK2593G

Silicon N-channel junction FET

For low-frequency amplification

For switching circuits

■ Features

■ Package

•

• Low noise figure NF

Code

• High gate-drain voltage (source open) V_GDO

• SSMini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

SSMini3-F3

Pin Name

•

1: Source

2: Drain

3: Gate

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-sourse voltage

Symbol

V_DS

V_GDO

V_GSO

I_D

Rating

Unit

■ Marking Symbol: 2B

−55

Gate-drain voltage (Source open)

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

−55

°C

Gate current

I_G

Power dissipation

P_D

125

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Drain-source current ^*

Symbol

V_GDS

I_DSS

Conditions

I_G= −100 µA, V_DS= 0

Min

−55

1.0

Typ

Max

Unit

V_DS= 10 V, V_GS= 0

6.5

−10

−5

Gate-source cutoff current

Gate-source cutoff voltage

Forward transfer admittance

I_GSS

V_GS= −30 V, V_DS= 0

V_GSC

Y_fs

C_iss

V_DS= 10 V, I_D= 10 µA

V_DS= 10 V, I_D= 5 mA, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

2.5

7.5

6.5

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_rss

1.9

2.5

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Noise figure

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 100 Hz

R_g= 100 kΩ

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

I_DSS(mA)

1.0 to 3.0

2.0 to 6.5

Publication date: May 2008

SJF00064BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2593GQ	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SK2593J	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc
2SK2593P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 1MA I(DSS) \| SC-75A
2SK2593Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 2MA I(DSS) \| SC-75A
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