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2SK2593J

更新时间： 2024-10-01 21:15:19

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松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-89, 3 PIN

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2SK2593J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2593J 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK2593J

Silicon N-channel junction FET

Unit: mm

+0.05

–0.03

1.60

+0.03

–0.01

0.12

For low-frequency amplification

For switching circuits

1.00 0.05

■ Features

• Low noise figure NF

• High gate-drain voltage (source open) V_GDO

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-sourse voltage

Symbol

V_DS

V_GDO

V_GSO

I_D

Rating

Unit

−55

1: Source

2: Drain

3: Gate

Gate-drain voltage (Source open)

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

−55

EIAJ: SC-89

SSMini3-F1 Package

°C

Marking Symbol: 2B

Gate current

I_G

Power dissipation

P_D

125

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Drain-source cutoff current ^*

Gate-source cutoff current

Gate-source cutoff voltage

Forward transfer admittance

Symbol

V_GDS

I_DSS

Conditions

I_G= −100 µA, V_DS= 0

Min

−55

1.0

Typ

Max

Unit

V_DS= 10 V, V_GS= 0

6.5

−10

−5

I_GSS

V_GS= −30 V, V_DS= 0

V_GSC

Y_fs

C_iss

V_DS= 10 V, I_D= 10 µA

V_DS= 10 V, I_D= 5 mA, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

2.5

7.5

6.5

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_rss

1.9

2.5

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Noise figure

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 100 Hz

R_g= 100 kΩ

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

I_DSS(mA)

1.0 to 3.0

2.0 to 6.5

Publication date: December 2004

SJF00040AED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2593P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 1MA I(DSS) \| SC-75A
2SK2593Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 2MA I(DSS) \| SC-75A
2SK2593R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 5MA I(DSS) \| SC-75A
2SK2593S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 10MA I(DSS) \| SC-75A
2SK2595	RENESAS	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier
2SK2595AX	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK2595AXTB	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK2595AXTB-E	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, RP8P, 2 PIN
2SK2595AXUB	RENESAS	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxi
2SK2596	RENESAS	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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