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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 174 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2586 | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2586 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2588 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK258H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
|
| 2SK2590 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2590 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2590-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK2591 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2592 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK2593 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Junction FET |
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| 2SK2593G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc |
|
| 2SK2593GQ | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
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