2SK2247QYUR

更新时间： 2024-09-09 13:04:27

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日立 - HITACHI		/
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7页	40K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK2247QYUR 数据手册

2SK2247

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

4 V gate drive device can be driven from 5 V source.

Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive

Outline

UPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2248-01	ETC	获取价格
2SK2248-01L	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2248-01S	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2249	ETC	获取价格
2SK2249-01	ETC	获取价格
2SK2249-01L	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2249-01S	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK225	HITACHI	获取价格	SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
2SK2250-01	ETC	获取价格
2SK2250-01L	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET