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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F15 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 740 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 163 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2259-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK226 | HITACHI |
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SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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| 2SK2260 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2260(KO)TD | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 150V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2261 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SPAK |
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| 2SK2262 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SPAK |
|
| 2SK2262T105 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK2263 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247AE |
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| 2SK2263F31 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2SK2266 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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