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2SK210

更新时间: 2024-11-16 22:52:51
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 221K
描述
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SK210 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:SC-59
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.18Is Samacsys:N
配置:SINGLEFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):0.65 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK210 数据手册

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与2SK210相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK210_07 TOSHIBA

获取价格

Silicon N Channel Junction Type FM Tuner Applications
2SK2100-01MR FUJI

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Power MOSFET
2SK2101-01MR FUJI

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N-channel MOS-FET
2SK2102 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 200MA I(D) | SIP
2SK2103 ROHM

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Small switching (30V, 2A)
2SK2103T100 ROHM

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Small switching (30V, 2A)
2SK2103T101 ROHM

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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2SK2104 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR
2SK2104TL ROHM

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2SK2105 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR