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2SK2103

更新时间: 2024-11-16 22:52:51
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罗姆 - ROHM 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
Small switching (30V, 2A)

2SK2103 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:2 W最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2103 数据手册

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Transistors  
Small switching (30V, 2A)  
2SK2103  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Wide SOA (safe operating area).  
4) Low-voltage drive (4V).  
5) Easily designed drive circuits.  
6) Easy to use in parallel.  
FStructure  
Silicon N-channel  
MOSFET  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
FPackaging specifications  
98  

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