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2SK2103T101

更新时间: 2024-11-19 10:48:35
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罗姆 - ROHM 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK2103T101 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.83外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):2 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2103T101 数据手册

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