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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2107 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2107TE24R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2108 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2109 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2109 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2109 | TYSEMI |
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Low on-resistance RDS(on)=1.0 MAX High switching speed |
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| 2SK2109-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK210BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12MA I(DSS) | SC-59 |
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| 2SK210-BL | TOSHIBA |
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FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications |
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| 2SK210-BLTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal |
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