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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2101-01MR
2SK2101-01MR PDF预览

2SK2101-01MR

更新时间： 2024-11-16 22:35:15
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 174K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2101-01MR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F15
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：2.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2101-01MR 数据手册

 浏览型号2SK2101-01MR的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK2101-01MR  
FAP-IIA Series  
800V 2,1W  
6A  
50W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Avalanche Proof  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
800  
DS  
V
800  
V
Drain-Gate-Voltage(RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
DGR  
I
6
24  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
50  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
800  
2,5  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
3,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
VDS=800V  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
S
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±30V  
ID=3A  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
100  
2,1  
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
1,7  
6,5  
1200  
120  
40  
DS(on)  
ID=3A  
g
3
fs  
VDS=25V  
C
1800  
180  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=600V  
ID=5A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
25  
40  
d(on)  
t
25  
40  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
85  
130  
70  
d(off)  
t
45  
f
L=100µH  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
6
AV  
TC=25°C  
Continous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
I
6
24  
A
DR  
TC=25°C  
I
A
DRM  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
V
1,1  
400  
1,5  
1,6  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Reverse Recovery Charge  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,5 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

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