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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1919S | HITACHI |
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40A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK1920 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1920FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK1920-TL | ONSEMI |
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4000mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SK1921 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1922 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1923 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1924 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1925 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1927 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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