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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1920FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK1920-TL | ONSEMI |
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4000mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SK1921 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1922 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1923 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1924 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1925 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1927 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1927TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928 | FUJI |
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Power MOSFET |
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