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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 120 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1927 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1927TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928 | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SK1928-01R | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SK1928SMTE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, TO-220SM, 3 PIN |
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| 2SK1928TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928TE24R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929(2-10S1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General |
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| 2SK1929(2-10S2B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General |
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