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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1929(2-10S1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General |
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| 2SK1929(2-10S2B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General |
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| 2SK1929TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929TE24R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK192A | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK192ABL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK192A-BL | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK192AGR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK192A-GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small Sig |
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| 2SK192A-GRTPE4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
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