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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 70 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1925 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1927 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1927TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928 | FUJI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| 2SK1928-01R | FUJI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| 2SK1928SMTE24L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, TO-220SM, 3 PIN |
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| 2SK1928TE24L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928TE24R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929(2-10S1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General |
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