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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1924 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1925 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1927 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1927TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1928 | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SK1928-01R | FUJI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| 2SK1928SMTE24L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, TO-220SM, 3 PIN |
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| 2SK1928TE24L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SK1928TE24R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1929 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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