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2SK1927

更新时间: 2024-09-29 19:44:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 43K
描述
TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SK1927 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:60 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1927 数据手册

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TOSHIBA  
TOSHIBA  
POWER MOSFETs  
1Q, 1999  
Alphanumerically  

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