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2SK192A-GR

更新时间： 2024-09-29 20:06:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 201K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small Signal

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2SK192A-GR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.8
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：0.65 pF最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK192A-GR 数据手册

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2SK192A  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK192A  
FM Tuner Applications  
VHF Band Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
·
High power gain: G = 24dB (typ.) (f = 100 MHz)  
PS  
Low noise figure: NF = 1.8dB (typ.) (f = 100 MHz)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7 mS (typ.) (f = 1 kHz)  
fs  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Gate-drain voltage  
V
-18  
10  
V
GDO  
Gate current  
I
mA  
mW  
°C  
G
Drain power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
D
T
125  
j
T
-55~125  
°C  
stg  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-4E1D  
Weight: 0.13 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
= -1.0 V, V = 0  
¾
¾
¾
-10  
nA  
V
GSS  
GS  
DS  
Gate-drain breakdown voltage  
V
I
= -100 mA  
-18  
¾
(BR) GDO  
G
I
DSS  
Drain current  
V
= 0, V = 10 V  
3
¾
24  
mA  
GS  
DS  
(Note)  
Gate-source cut-off voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
V
V
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
-1.2  
¾
-3  
7
¾
¾
V
GS (OFF)  
DS  
GS  
DS  
GD  
DD  
DD  
D
ïY ï  
fs  
= 0, V = 10 V, f = 1 kHz  
mS  
pF  
pF  
dB  
dB  
DS  
C
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
GS  
¾
3.5  
¾
¾
iss  
rss  
PS  
Reverse transfer capacitance  
Power gain  
C
G
= -10 V, f = 1 MHz  
¾
0.65  
¾
= 10 V, f = 100 MHz (Figure 1)  
= 10 V, f = 100 MHz (Figure 1)  
¾
24  
1.8  
Noise figure  
NF  
¾
3.5  
Note: I  
classification Y: 3.0~7.0, GR: 6.0~14.0, BL: 12.0~24.0  
DSS  
1
2003-04-04  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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