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2SK1930TE24L

更新时间： 2024-09-29 14:46:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 840K
描述
TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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2SK1930TE24L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：3.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：100 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1930TE24L 数据手册

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2SK1930  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSII.5)  
2SK1930  
Chopper Regulator, DC−DC Converter, and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 3.0 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 2.0 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 300 μA (max) (V  
= 800 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 1.5~3.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
1000  
1000  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
4
D
Drain current  
A
I
12  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Channel temperature  
P
100  
W
°C  
°C  
D
ch  
stg  
T
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage,  
etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the  
appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor  
Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
TOSHIBA  
2-10S1B  
Weight: 1.5 g (typ.)  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.25  
83.3  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch–c)  
th (ch–a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device.  
Please handle with caution.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-10S2B  
Weight: 1.5 g (typ.)  
1
2006-11-09  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1930TE24R TOSHIBA

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