生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 2.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 100 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 200 ns |
最大开启时间(吨): | 80 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1945-01 | ETC |
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2SK1945-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK1945-01LS | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK1945-01S | ETC |
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STD MOSFET | |
2SK1946-01M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220 | |
2SK1946-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK1947 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1947 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1947-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1948 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |