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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.25 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 13 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK193F | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK193M | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK193P | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK1940 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1940-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1941 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1941-01R | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1942-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1943-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1944-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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