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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1949(S)TR | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK1949L | ETC |
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| 2SK1949L-E | RENESAS |
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5A, 60V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| 2SK1949S | ETC |
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| 2SK195 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1950 | ETC |
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| 2SK1950(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
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| 2SK1950(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
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| 2SK1950S | RENESAS |
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3 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
|
| 2SK1951 | ETC |
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