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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220FM |
| 包装说明： | TO-220FM, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.37 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1953 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1953 | RENESAS |
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2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK1954 | KEXIN |
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MOS Field Effect Power Transistor |
|
| 2SK1954 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1954 | TYSEMI |
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Low on-resistance Low Ciss Ciss=300pF typ Built-in G-S Gate Protection Diode |
|
| 2SK1954-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1954-Z-E1 | RENESAS |
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Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2 | RENESAS |
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Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK1954-Z-E2-AZ |
|
| 2SK1957 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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