5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 78 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1954 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistor |
|
| 2SK1954 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1954 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance Low Ciss Ciss=300pF typ Built-in G-S Gate Protection Diode |
|
| 2SK1954-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1954-Z-E1 | RENESAS |
获取价格 |
Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2 | RENESAS |
获取价格 |
Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK1954-Z-E2-AZ |
|
| 2SK1957 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1957 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1957-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
