5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | GATE PROTECTED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 16 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1960-T1 | RENESAS |
获取价格 |
2SK1960-T1 |
|
| 2SK1960-T2 | RENESAS |
获取价格 |
2SK1960-T2-AZ |
|
| 2SK1960-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
2SK1960-T2-AY |
|
| 2SK1960-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK1960-T2-AZ |
|
| 2SK1961 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Low-Noise Amp Applications |
|
| 2SK1961Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-92 |
|
| 2SK1961Y4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-92VAR |
|
| 2SK1961Y5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-92VAR |
|
| 2SK1967 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK1967H | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
