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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1969-01
2SK1969-01 PDF预览

2SK1969-01

更新时间： 2024-11-20 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 212K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK1969-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：125 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：1410 ns最大开启时间（吨）：350 ns
Base Number Matches：1

2SK1969-01 数据手册

 浏览型号2SK1969-01的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1969-01  
FAP-IIIA Series  
60V 0,017W 50A 125W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
- Avalanche Proof  
- Including G-S Zener-Diode  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC Converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
60  
60  
50  
DS  
V
V
Drain-Gate-Voltage (RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
DGR  
I
A
D
I
200  
±20  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
125  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=60V  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
1,0  
2,0  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
µA  
mA  
µA  
W
W
S
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±16V  
ID=25A  
Gate Source Leakage Current  
I
10,0  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,019 0,027  
0,013 0,017  
40  
DS(on)  
ID=25A  
VGS=10V  
VDS=25V  
ID=25A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
20  
fs  
VDS=25V  
C
2600  
1000  
630  
20  
3900  
1500  
950  
30  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=50A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
210  
520  
420  
320  
780  
630  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=25W  
t
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
50  
AV  
Continous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
I
50  
200  
2,18  
120  
A
DR  
I
A
DRM  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
V
1,45  
85  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Reverse Recovery Charge  
Q
0,16  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
35  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
1,0 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX - 75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com  
12

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