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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 183K |  |
| 描述 | ||
| Silicon N Channel MOS FET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220FM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1953 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1953 | RENESAS |
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2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1954 | KEXIN |
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MOS Field Effect Power Transistor |
|
| 2SK1954 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1954 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance Low Ciss Ciss=300pF typ Built-in G-S Gate Protection Diode |
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| 2SK1954-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1954-Z-E1 | RENESAS |
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Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2 | RENESAS |
获取价格 |
Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1954-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK1954-Z-E2-AZ |
|
| 2SK1957 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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