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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1951 | ETC |
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| 2SK1952 | HITACHI-METALS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1952 | RENESAS |
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0.028ohm, POWER, FET, TO-220FM, 3 PIN |
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| 2SK1953 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1953 | RENESAS |
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2A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1954 | KEXIN |
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MOS Field Effect Power Transistor |
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| 2SK1954 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1954 | TYSEMI |
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Low on-resistance Low Ciss Ciss=300pF typ Built-in G-S Gate Protection Diode |
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| 2SK1954-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1954-Z-E1 | RENESAS |
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Si, SMALL SIGNAL, FET, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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