是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3PL |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
最大漏极电流 (ID): | 50 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK1948 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1948 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1949(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251 | |
2SK1949(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA | |
2SK1949(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK1949(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
2SK1949L | ETC |
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||
2SK1949L-E | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | |
2SK1949S | ETC |
获取价格 |
||
2SK195 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2SK1950 | ETC |
获取价格 |
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2SK1950(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |