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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.88 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 150 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 110 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1933 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1933 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1933-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1934 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1934 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1934-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1936 | ISC |
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Fast Switching Speed |
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| 2SK1936-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1936-1 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1937-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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