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2SK1930(2-10S2B)

更新时间： 2024-09-29 15:25:35

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	840K
描述
TRANSISTOR 4 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK1930(2-10S2B) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.29	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	3.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1930(2-10S2B) 数据手册

2SK1930

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSII^.5)

2SK1930

Chopper Regulator, DC−DC Converter, and Motor Drive

Applications

Unit: mm

z Low drain−source ON resistance

z High forward transfer admittance

: R

= 3.0 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 2.0 S (typ.)

z Low leakage current : I

= 300 μA (max) (V

= 800 V)

DSS

z Enhancement mode : V = 1.5~3.5 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

1000

±20

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

Drain current

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Channel temperature

100

°C

stg

150

Storage temperature range

−55~150

JEDEC

JEITA

―

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature,

etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage,

etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the

appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor

Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and

estimated failure rate, etc).

TOSHIBA

2-10S1B

Weight: 1.5 g (typ.)

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

1.25

83.3

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C / W

th (ch–c)

th (ch–a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

This transistor is an electrostatic-sensitive device.

Please handle with caution.

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-10S2B

Weight: 1.5 g (typ.)

2006-11-09

12 3 4 5 6

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