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2SK1920FA

更新时间： 2024-09-28 23:20:35
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 184K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR

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2SK1920FA 数据手册

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2SK1951  
Silicon N Channel MOS FET  
Application  
TO–220FM  
High speed power switching  
Features  
• Low on–resistance  
• High speed switching  
• Low drive current  
2
1
2
3
• 4 V gate drive device can be driven from  
5 V source  
• Suitable for Switching regulator, DC – DC  
converter  
1
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
• Avalanche ratings  
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
60  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
25  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I
*
100  
A
D(pulse)  
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse drain current  
I
25  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Avalanche current  
I
***  
25  
A
AP  
———————————————————————————————————————————  
Avalanche energy  
E
***  
53  
mJ  
AR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
30  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %  
*
** Value at Tc = 25 °C  
*** Value at Tch = 25 °C, Rg ≥ 50 Ω  
123

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