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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK192A | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK192ABL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK192A-BL | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK192AGR | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK192A-GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small Sig |
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| 2SK192A-GRTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK192ATPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK192AY | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 3MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK192A-Y | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK193 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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