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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1838STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1838STR-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SK1839 | SANYO |
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Analog Switch Applications |
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| 2SK184 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK184_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SK1840 | SANYO |
获取价格 |
Analog Switch Applications |
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| 2SK1841 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching, Analog Switch Applications |
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| 2SK1841-AC | ONSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1841AD | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1841-AP | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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