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2SK0374S

更新时间： 2024-11-25 14:39:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	196K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN

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2SK0374S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK0374S 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK0374 (2SK374)

Silicon N-Channel Junction FET

For low-frequency amplification

For switching

unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

ꢀ Features

ꢁ Low noise-figure (NF)

ꢁ High gate to drain voltage V_GDO

ꢁ Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

(0.95) (0.95)

1.9±0.1

+0.20

2.90

–0.05

10°

ꢀ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Drain voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSX

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

−55

1: Source

2: Drain

3: Gate

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

−55

°C

Marking Symbol (Example): 2B

Gate current

I_G

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

200

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

ꢀ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_GSS

V_GDC

V_GSC

g_m

V_GS= −30V, V_DS= 0

−10

I_G= −100µA, V_DS= 0

−55

−80

Gate to Source cut-off voltage

Mutual conductance

V_DS= 10V, I_D= 10µA

V_DS= 10V, I_D= 5mA, f = 1kHz

−5

2.5

7.5

6.5

1.9

Input capacitance (Common Source) C_iss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_g= 100kΩ

Noise figure

2.5

f = 100Hz

^*I_DSSrank classification

Runk

_DSS(mA)

1 to 3

2BP

2 to 6.5

2BQ

5 to 12

2BR

10 to 20

2BS

Marking Symbol

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

249

12 3

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2SK0615(2SK615)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET
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