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2SJ492-S

更新时间： 2024-01-21 20:26:14

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	295K
描述
20A, 60V, 0.185ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

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技术参数
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2SJ492-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ492-S 数据手册

2SJ492

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

100

th(ch-A) = 83.3°C/W

Rth(ch-C) = 1.79°C/W

0.1

0.01

Single Pulse

0.001

100

10m

100m

100

1000

PW - Pulse Width - s

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

0.3

Pulsed

DS = −10V

Pulsed

ch = −25°C

25°C

75°C

0.2

0.1

125°C

ID = −10 A

0.1

−0.1

−1.0

−10

−100

−5

−10

−15

- Drain Current - A

GS - Gate to Source Voltage - V

GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

DRAIN TO SOURCE ON-STATE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

DS = −10V

Pulsed

0.15

0.10

= −1mA

−2.0

−1.5

−1.0

GS = −4 V

GS = −10 V

0.05

−0.5

−50

100

150

−1

−10

- Drain Current - A

−100

ch - Channel Temperature - °C

Data Sheet D11264EJ2V0DS00

1...3 4 567 8 9 10

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与2SJ492-S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ492-S-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SJ492-Z-E1-AZ	RENESAS	Switching P-Channel Power MOSFET, MP-25Z, /Embossed Tape	获取价格
2SJ492-Z-E2-AZ	RENESAS	2SJ492-Z-E2-AZ	获取价格
2SJ492-ZJ	NEC	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SJ492-ZJ	RENESAS	20A, 60V, 0.185ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN	获取价格
2SJ492-ZJ-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格