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2SJ453TP-FA

更新时间： 2024-01-02 07:47:24

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4页	45K
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TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ453TP-FA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ453TP-FA 数据手册

2SJ453

-- V

--5

--4

--3

--2

--5

--4

--3

--2

= --10V

75°C

--4.5V

--4.0V

= --3.5V

--1

--4

--8

--12

--16

--20

--1

--2

--3

--4

--5

--6

IT00068

Drain-to-Source Voltage, V

– V

Gate-to-Source Voltage, V

– V

IT00067

yfs -- I

R (on) -- V

DS GS

I = --1.5A

Tc=25°C

25°C

1.0

--2

--4

--6

--8

--10 --12 --14 --16 --18 --20

--0.1

--1.0

--10

Gate-to-Source Voltage, V

– V

Drain Current, I – A

IT00070

IT00069

(on) -- Tc

Ciss, Coss, Crss -- V

= --10V

f=1MHz

I = --1.5A

1000

Ciss

100

--60 --40 --20

80 100 120 140 160

--20

--40

--60

--80

– V

--100

IT00072

Case Temperature, Tc – ˚C

Drain-to-Source Voltage, V

IT00071

SW Time -- I

-- V

F SD

= --100V

= --10V

100

--1.0

t (on)

--0.1

--0.2

--0.4

--0.6

--1.0

--1.2

--1.4

--0.1

--1.0

--10

IT00073

Drain Current, I – A

Diode Forward Voltage, V

– V

IT00074

No.5444–3/4

1 234

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