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2SJ453TP-FA

更新时间： 2024-01-23 10:59:09
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
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4页 45K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR

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2SJ453TP-FA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：2.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ453TP-FA 数据手册

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2SJ453  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
V
–250  
±30  
–3  
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
GSS  
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
–12  
1
A
DP  
W
W
˚C  
˚C  
Allowable Power Dissipation  
P
D
30  
Tc=25˚C  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Gate-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
V
I
I
=–1mA, V =0  
D GS  
–250  
±30  
V
V
(BR)DSS  
=±100µA, V =0  
(BR)GSS  
G
DS  
I
V
V
V
V
I
=–250V, V =0  
GS  
=±25V, V =0  
DS  
=–10V, I =–1mA  
D
=–10V, I =–1.5A  
D
–100  
±10  
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
(off)  
–2.0  
17  
–3.0  
GS  
| yfs |  
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
Input Capacitance  
2.4  
S
Ω
R
(on)  
=–1.5A, V =–10V  
GS  
2.0  
420  
100  
40  
2.6  
DS  
D
Ciss  
V
V
V
=–20V, f=1MHz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DS  
Output Capacitance  
Coss  
Crss  
=–20V, f=1MHz  
DS  
=–20V, f=1MHz  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
t
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
14  
d(on)  
Rise Time  
t
18  
r
Turn-OFF Delay Time  
t
75  
d(off)  
Fall Time  
t
f
65  
Diode Forward Voltage  
V
I
I
=–3A, V =0  
GS  
=–3A, di/dt=100A/µs  
–1.1  
100  
–1.5  
SD  
S
S
Diode Reverse Recovery Time  
t
ns  
rr  
Switching Time Test Circuit  
V
=--100V  
DD  
V
IN  
0V  
--10V  
I
=--1.5A  
D
R =66.7Ω  
L
V
IN  
PW=10µs  
D.C.≤1%  
D
V
OUT  
G
P. G  
2SJ453  
50Ω  
S
No.5444–2/4  
1234

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