2SJ451

更新时间： 2024-01-14 09:41:01

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
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7页	110K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ451 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ451 数据手册

2SJ451

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Pulse Test

V_GS= –2.5 V

–0.1 A

0.5

Tc = –25°C

75°C

0.2

0.1

I_D= –0.05 A

–0.2 A

0.05

25°C

0.02

0.01

–0.05 A, –0.1 A

0.005

V_DS= –10 V

Pulse Test

–4 V

0.002

–40

120

160

–0.01 –0.03 –0.1 –0.3

–1

–3

–10

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Switching Characteristics

100

V_GS= –10 V, V_DD= –10 V

PW = 50 µs, duty ≤ 1 %

Coss

d(off)

Ciss

Crss

0.5

d(on)

0.3

0.1

0.2

0.1

V_GS= 0

f = 1 MHz

–10

–20

–30

–40

–50

–0.01 –0.02 –0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1

Drain Current I_D(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

Pulse Test

–

5 V

V_GS= 0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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