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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ108V | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SJ109 | TOSHIBA |
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P CAHNNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER, DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SJ109BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 6MA I(DSS) | ZIP |
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| 2SJ109-BL | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
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| 2SJ109GR | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 2.6MA I(DSS) | ZIP |
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| 2SJ109V | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 10MA I(DSS) | ZIP |
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| 2SJ109-V | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
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| 2SJ110 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-92 |
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| 2SJ111 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-92 |
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| 2SJ112 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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