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2SJ120S

更新时间： 2024-01-27 14:34:41

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ120S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ120S 数据手册

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2SJ125_10	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION P CHANNEL JUNCTION TYPE	获取价格
2SJ125-12-1C	MITSUBISHI	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236	获取价格
2SJ125-12-1D	MITSUBISHI	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236	获取价格

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