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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-63 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ128-Z-E2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252 |
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| 2SJ128-Z-T1 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ130 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ130 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ130(L) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ130(L) | RENESAS |
获取价格 |
1A, 300V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| 2SJ130(L)-(1) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,300V V(BR)DSS,1A I(D),TO-251 |
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| 2SJ130(L)|2SJ130(S) | ETC |
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| 2SJ130(S) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ130(S) | RENESAS |
获取价格 |
1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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