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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.9 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 70 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ125 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION P CHANNEL JUNCTION TYPE |
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| 2SJ125_10 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION P CHANNEL JUNCTION TYPE |
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| 2SJ125-12-1C | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| 2SJ125-12-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| 2SJ125C | ISAHAYA |
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P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SC-59, SIMILAR TO TO-236, 3 PIN |
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| 2SJ125D | ISAHAYA |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SC-59, SIMILAR TO TO-236, 3 PIN |
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| 2SJ125-T12-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| 2SJ125-T12-1D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| 2SJ126 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ127 | RENESAS |
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10A, 120V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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