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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ125-T12-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| 2SJ126 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ127 | RENESAS |
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10A, 120V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| 2SJ128 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
|
| 2SJ128(0)-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ128(0)-Z-AZ |
|
| 2SJ128Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
|
| 2SJ128-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SJ128-Z | RENESAS |
获取价格 |
2A, 100V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SJ128-Z-E2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252 |
|
| 2SJ128-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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